T/CASAS 010-2019
氮化鎵材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法
Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- T/CASAS 010-2019
- 發(fā)布
- 2019年
- 發(fā)布單位
- 中國團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
- 當(dāng)前最新
- T/CASAS 010-2019
- 適用范圍
- 半導(dǎo)體材料中的痕量雜質(zhì)元素濃度及其分布高精度表征是影響產(chǎn)業(yè)鏈不同階段產(chǎn)品（如襯底、外延、芯片、器件）性能的重要參數(shù)。二次離子質(zhì)譜儀是檢測材料痕量雜質(zhì)元素濃度及分布的最常用且最精準(zhǔn)的設(shè)備。目前我國以二次離子質(zhì)譜方法高精度檢測第三代半導(dǎo)體材料中的痕量雜質(zhì)濃度及分布的標(biāo)準(zhǔn)屬于空白領(lǐng)域，因此該標(biāo)準(zhǔn)的制定對第三代半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)評價(jià)及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用具有較強(qiáng)的積極作用。