室溫下在俄歇電子能譜(AES)分析儀超高真空室中,通入適量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+槍濺射鋁箔,使鋁沉積在UO2表面形成Al薄膜。沉積過程中實(shí)時采集UO2表面的AES譜和低能電子損失譜(EELS),原位分析鋁薄膜在UO2表面的生長過程和膜間界面反應(yīng)。...
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